Ingénieur de recherche en épitaxie Si / SiGe H/F
CDD Grenoble (Isère) Développement informatique
Description de l'offre
Détail de l'offre
Informations générales
Entité de rattachement
Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.
Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.
Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :
• La conscience des responsabilités
• La coopération
• La curiosité
Référence
2025-35872Description de la Direction
Plus de 4.000 personnes investies dans les enjeux sociétaux !
Avec sa Direction de la Recherche Technologique (DRT), le CEA agit comme un accélérateur d'innovation au service de l'industrie pour tous les secteurs d'activités, répondant ainsi aux enjeux liés à notre santé, notre sécurité, nos technologies d'information, notre avenir énergétique …
Description de l'unité
A Grenoble, le CEA-Leti, institut de recherche technologique de DRT, a pour mission d'innover et de transférer les innovations à l'industrie. Son cœur de métier réside dans les technologies de la microélectronique : miniaturisation des composants, intégration système, architecture de circuits intégrés, qui sont à la base de l'internet des objets, de l'intelligence artificielle, de la réalité augmentée, de la santé connectée... Le CEA-Leti façonne des solutions différenciantes, sécurisées et fiables, visant à augmenter la compétitivité de ses partenaires industriels par l'innovation technologique.
Au sein du CEA-Leti, nous nous appuyons sur notre plate-forme technologique silicium ouverte, performante et réactive regroupant les moyens opérationnels qui supportent l'ensemble des programmes de recherche et apportent, en termes d'offre technologique, de qualité et de vitesse d'exécution, des solutions permettant à nos clients internes et externes d'atteindre l'excellence et la notoriété au niveau international. Ces moyens opérationnels comprennent nos équipements et compétences dédiées à l'épitaxie de couches de Si et SiGe avancées.
Nous recherchons un(e) ingénieur(e) de recherche en épitaxie de matériaux IV-IV qui aura pour mission de nous aider à développer nos procédés technologiques d'épitaxie Si et SiGe pour les transistors FD-SOI avancés en 300 mm en salle blanche en horaire journée.
Description du poste
Domaine
Composants et équipements électroniques
Contrat
CDD
Intitulé de l'offre
Ingénieur de recherche en épitaxie Si / SiGe H/F
Statut du poste
Cadre
Durée du contrat (en mois)
40
Description de l'offre
En lien étroit avec les techniciens et ingénieurs-chercheurs de l’équipe, et en particulier avec le pilote de la thématique Epitaxie, vous travaillerez en salle blanche, en horaires journée, sur les développements technologiques des procédés d’épitaxie de couches Si et SiGe en 300 mm pour les transistors FD-SOI avancés.
Le respect des engagements pris auprès de nos partenaires et tutelles ainsi que les performances des transistors avancés que nous développons reposent en grande partie sur la qualité de votre travail, qui consistera :
- A développer des procédés innovants d’épitaxie de couches de Si et de SiGe, dopées ou non, sur motifs ou en pleine plaque,
- A réaliser / développer des mesures et caractérisations qui permettront de valider les propriétés des couches épitaxiées développées,
- A contribuer au démarrage d’un nouveau bâti d’épitaxie 300 mm,
- A prioriser le passage des lots de fabrication en fonction des étapes technologiques à réaliser et des degrés d’urgence,
Profil recherché
Profil du candidat
L’indispensable, c’est votre formation de base en chimie et/ou matériaux ou encore en procédés microélectroniques, de niveau Bac +5/+8. Une première expérience en épitaxie de matériaux IV-IV serait un plus indéniable. Des connaissances en techniques de caractérisation structurales et physico-chimiques (diffraction des rayons X, réflectivité des rayons X, ellipsométrie, microscopie par force atomique, etc.) seraient souhaitables.
Vos atouts, ce sont votre capacité à prendre en main de façon autonome des développements de procédés nécessitant beaucoup de rigueur et d’adaptation, dans un environnement salle blanche, ainsi que votre relationnel à toute épreuve qui vous permettra de dialoguer aisément avec vos interlocuteurs sur les procédés et le suivi technologique. Vous avez un gout prononcé pour l’expérimentation et un sens de l’organisation.
Pour le reste, nos équipes expertes vous permettront d’assimiler en profondeur la connaissance des différentes étapes technologiques nécessaires à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, notamment celles liées à l’épitaxie.
Vous avez encore un doute ?
Nous vous proposons :
- Un environnement unique de recherché dédié à des thématiques à fort enjeu sociétal,
- Des formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles,
- Un équilibre vie privé – vie professionnelle reconnu,
- L’accès à une épargne abondée par le CEA,
- Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
- Une rémunération selon vos diplômes et votre expérience,
- Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles,
- Une politique diversité et inclusion : Engagés depuis plus de 30 ans dans l’inclusion et le maintien dans l’emploi des personnes en situation de handicap, nos postes sont ouverts à toutes et tous.